30 Вт 50 Вт GaN HEMT Rf PA Усилитель питания RF Транзистор питания для 5700- 5900 МГц

YP40601625T представляет собой 30-ваттный GaN HEMT, предназначенный для нескольких приложений с частотами от 4000 до 6000 МГц, в частности от 5700 до 5900 МГц.Производительность гарантирована для приложений, работающих на указанных частотах. Не гарантируется производительность, когда эта часть используется в приложениях, предназначенных за пределами этих частот.Типичная производительность (на иннотионной установке): VDD = 50 вольт, IDQ = 110 мА, CW, Psat> 30 Вт

Приложения и особенности

• Подходит для беспроводной коммуникационной инфраструктуры, коммерческого радара, широкополосного усилителя, джаммера, EMCtesting, ISM и т.д.
• Операции с высокой эффективностью и линейным увеличением
• Пакет стандартов промышленности с повышенной тепловой мощностью
• Процесс металлизации высокой надежности
• Отличная тепловая устойчивость и отличная жесткость
• Соответствует Директиве 2002/95/ЕС по ограничению опасных веществ (RoHS) Важное примечание: Правильная последовательность смещения для транзисторов GaN HEMT.Установите VGS на напряжение отключения, как правило, 5 В 2.Включите VDS до номинального напряжения питания (50 В) 3.Увеличьте VGS до достижения тока IDS 4.Примените ВВ входной мощности до желаемого уровня Выключите устройство 1.Выключите ВВ питание 2.Уменьшить VGS до VP, обычно 5 В. Уменьшить VDS до 0 В. Выключить VGS

Важная примечание: Правильная последовательность искажения для транзисторов GaN HEMT

Включение устройства

1.Настроить VGS на напряжение отключения (VP), обычно 5 В

2.Включить VDS на номинальное напряжение питания (50 В)

3.Увеличить VGS до достижения IDS тока

4. Применить мощность RF входа на желаемый уровень

Выключение устройства

1- Выключите радиочастоту.

2.Уменьшить VGS до VP, обычно 5 В

3Снизить VDS до 0 V4. Выключить VGS.